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　　為貫徹落實黨中央、國務(wù)院關(guān)于加強基礎(chǔ)研究和提升原始創(chuàng)新能力的重要戰(zhàn)略部署,，國家自然科學基金委員會（以下簡稱自然科學基金委）工程與材料科學部擬資助“集成電路關(guān)鍵材料前沿探索”原創(chuàng)探索計劃項目（以下簡稱原創(chuàng)項目）,。集成電路材料是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，因此自主研發(fā)集成電路用關(guān)鍵材料尤為重要,。本項目通過材料,、化學、物理和信息等多學科的深度交叉融合,，針對集成電路制造過程中涉及到的關(guān)鍵金屬材料,、無機非金屬材料及有機高分子材料，探索材料制備與應(yīng)用的新原理,、新方法與新技術(shù),，推動原始創(chuàng)新，為突破集成電路材料領(lǐng)域的“卡脖子”難題提供基礎(chǔ)支撐,，服務(wù)國家重大戰(zhàn)略需求,，引領(lǐng)國際科技前沿。
　　一,、科學目標
　　本項目面向集成電路用關(guān)鍵材料,，具體科學目標如下：（1）聚焦光刻膠、柔性集成電路載板等高分子材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計,、固化機制及復合材料界面微結(jié)構(gòu)演變與失效機理,，實現(xiàn)關(guān)鍵材料的理論預測、精準合成與技術(shù)突破,；（2）針對集成電路尺寸微縮瓶頸與挑戰(zhàn),，發(fā)展低功耗、高集成度器件應(yīng)用所需的新型非硅CMOS溝道材料,、晶體柵介質(zhì)材料,、高效電光調(diào)制系數(shù)材料和三維堆疊鐵電存儲陣列材料；（3）針對集成電路極限制程封裝的微凸點高質(zhì)量制備和高密度互連需求,，發(fā)展晶圓級微凸點互連材料,，實現(xiàn)封裝電接觸材料的精準構(gòu)筑。
　　二,、資助方向
　�,。ㄒ唬�極紫外高分子光刻膠,。
　　針對極紫外光刻膠應(yīng)用目標，建立序列可控精準高分子的合成方法及原位分析手段,，闡明光刻膠的精準化學/聚集態(tài)結(jié)構(gòu)與靈敏度,、分辨率、線邊緣粗糙度間的關(guān)聯(lián),，構(gòu)建非光酸放大型極紫外光刻膠材料,。
　　（二）本征型層間互連封裝光刻膠,。
　　發(fā)展耐高溫光刻膠,，研究聚合物固化機制及固化條件與光刻膠性能之間的關(guān)系，揭示光刻圖形缺陷形成機制,，發(fā)展缺陷控制及封裝光刻膠多功能化的新原理和新方法,。
　　（三）集成電路用高分子復合材料界面微結(jié)構(gòu)演變與失效機理研究,。
　　發(fā)展界面微結(jié)構(gòu)及其演變的表征新方法,，研究材料表界面物理化學特性及其在不同熱、機械等環(huán)境下的演變機理,，探索復合界面處分子鏈松弛行為與熱應(yīng)力耗散的機理及復合界面偶聯(lián)改性失效的化學機制,，探索金屬離子等在界面遷移擴散與聚集行為，構(gòu)建異質(zhì)復合界面多尺度失效分析模型,。
　�,。ㄋ模┤嵝约�成電路載板的材料設(shè)計與性能調(diào)控。
　　研究具有高撓曲,、高尺寸穩(wěn)定柔性集成電路載板基材的合成與物性控制的新方法,，探索柔性基板表界面性質(zhì)和微觀結(jié)構(gòu)的調(diào)控機制及界面增強的新策略，揭示柔性載板材料光敏性與光刻分辨率的構(gòu)效關(guān)系,，發(fā)展柔性集成電路載板高精度導電線路的制造方法,。
　　（五）面向非硅CMOS器件的新型溝道材料,。
　　針對亞納米尺寸下傳統(tǒng)溝道材料性能衰退導致的集成電路功耗激增問題,，發(fā)展突破尺寸微縮極限的高質(zhì)量、低缺陷二維半導體材料等新型溝道材料,，設(shè)計,、構(gòu)筑高質(zhì)量異質(zhì)界面,，實現(xiàn)載流子的高效調(diào)控,，推動新型溝道材料在非硅CMOS器件和邏輯電路的典型應(yīng)用。
　�,。�六）面向后摩爾時代低能耗器件的晶體柵介質(zhì)材料,。
　　圍繞后摩爾時代傳統(tǒng)柵介質(zhì)材料柵控能力下降導致的能耗瓶頸難題,，研發(fā)具有低缺陷密度的新一代晶體柵介質(zhì)材料，發(fā)展超越硅基場效應(yīng)晶體管的新原理和新材料,，實現(xiàn)低功耗器件的制備,。
　　（七）面向高集成度電光調(diào)制器的納米光子材料,。
　　針對因光學衍射極限導致硅光芯片難以小型化的問題,，設(shè)計新型光子材料與結(jié)構(gòu)，探索多物理場作用下光子材料納米光學模式的調(diào)控規(guī)律,，實現(xiàn)光子材料中光傳播方向,、相位和模場分布的精細操控，為下一代高集成度電光調(diào)制器提供新材料,。
　�,。ò耍┟嫦蚋呙芏热�維堆疊存儲陣列應(yīng)用的鐵電材料。
　　針對大數(shù)據(jù)時代高密度和海量存儲需求,，發(fā)展高密度三維堆疊存儲陣列新型鐵電材料,，闡明鐵電材料電荷注入/反注入的微觀動力學過程，揭示鐵電材料缺陷產(chǎn)生機制與調(diào)控機理,，構(gòu)筑基于鐵電材料的高密度三維堆疊存儲陣列,。
　　（九）晶圓級Sn-Ag微凸點互連材料,。
　　揭示添加劑對高,、低電力線區(qū)域的抑制電沉積作用機制以及對Sn-Ag微凸點合金形核-結(jié)晶行為的影響規(guī)律，闡明芯片互連工藝下微凸點與常用Ni,、Cu,、ENIG等金屬基體的界面作用機理，建立直徑小于60微米,、12英寸晶圓級Sn-Ag微凸點互連材料的電沉積制備方法,。
　　（十）極限制程封裝電接觸材料精準構(gòu)筑及電子結(jié)構(gòu)調(diào)制,。
　　針對后摩爾時代集成電路極限制程封裝的高密度互連需求,，提出近零缺陷電接觸材料微結(jié)構(gòu)的精準構(gòu)筑新策略，揭示微量元素摻雜對主體元素電子結(jié)構(gòu)的調(diào)制作用,，探索金屬元素與缺陷的相互作用機制,，闡明稀合金體系在機械力和熱力作用下的織構(gòu)演化規(guī)律。
　　三,、資助計劃
　　本原創(chuàng)項目資助期限為3年,，申請書中研究期限應(yīng)填寫“2024年1月1日—2026年12月31日”。計劃資助8-10項,，平均資助強度200萬元/項,。
　　四,、申請要求
　　（一）申請資格,。
　　具有承擔基礎(chǔ)研究項目（課題）或其他基礎(chǔ)研究經(jīng)歷的科學技術(shù)人員均可提出申請,。
　　（二）限項申請規(guī)定,。
　　1.申請人同年只能申請1項原創(chuàng)項目（含預申請）,。
　　2.原創(chuàng)項目從預申請開始直到自然科學基金委做出資助與否決定之前，不計入申請和承擔總數(shù)范圍,，獲資助后計入申請和承擔總數(shù)范圍,。
　　3.應(yīng)符合《2023年度國家自然科學基金項目指南》中對申請項目數(shù)量的限制。
　　五,、申請程序
　�,。ㄒ唬╊A申請。
　　1.預申請?zhí)峤粫r間為2023年11月24日－11月26日16:00時,，以國家自然科學基金網(wǎng)絡(luò)信息系統(tǒng)（以下簡稱信息系統(tǒng)）提交時間為準,，在提交時間之外提交的申請將不予受理。
　　2.請申請人登錄信息系統(tǒng)https://grants.nsfc.gov.cn撰寫預申請,。沒有信息系統(tǒng)賬號的申請人請向依托單位基金管理聯(lián)系人申請開戶,。在信息系統(tǒng)“申請與受理”菜單下，點擊“原創(chuàng)項目預申請”,，進入預申請?zhí)顚戫撁�,，選擇“指南引導類”，附注說明選擇“集成電路關(guān)鍵材料前沿探索”,，申請代碼1應(yīng)當填寫工程與材料科學部相應(yīng)的申請代碼（“E”字母開頭）,，申請代碼2根據(jù)項目研究所涉及的領(lǐng)域自行選擇相應(yīng)學科申請代碼。以上選擇不準確或未選擇的項目申請不予資助,。
　　3.預申請主要闡述所提學術(shù)思想的原創(chuàng)性,、科學性和潛在影響力，字數(shù)控制在2000字以內(nèi),。另外,，申請人還須在“與指南所列研究方向的吻合性”中注明申請針對的本指南所列資助方向名稱。申請人按照信息系統(tǒng)中的有關(guān)提示填寫預申請相關(guān)內(nèi)容后直接提交至自然科學基金委,。
　　4.自然科學基金委受理預申請并組織審查,。審查結(jié)果將以電子郵件形式反饋至申請人。
　�,。ǘ�）正式申��,。
　　1.預申請審查通過的申請人，應(yīng)按照“專項項目-原創(chuàng)探索計劃項目正式申請書撰寫提綱”要求填寫正式申請書。正式申請的核心研究內(nèi)容應(yīng)與預申請一致,，并要求在正式申請書正文的第一句明確寫明申請項目所對應(yīng)的本指南所列資助方向,。
　　2.除特別說明外,，每個原創(chuàng)項目的合作研究單位數(shù)合計不超過2個,；主要參與者必須是項目的實際貢獻者。
　　3.申請人應(yīng)根據(jù)《國家自然科學基金資助項目資金管理辦法》《項目資金管理有關(guān)問題的補充通知》有關(guān)規(guī)定和《國家自然科學基金項目資金預算表編制說明》的具體要求,，按照“目標相關(guān)性,、政策相符性、經(jīng)濟合理性”的基本原則,，認真編制《國家自然科學基金項目資金預算表》,。
　　4.申請人完成申請書撰寫后，在線提交電子申請書及附件材料,。
　　5.依托單位應(yīng)對本單位申請人所提交申請材料的真實性和完整性進行審核,。原創(chuàng)項目采用無紙化申請方式，依托單位只需在線確認并及時提交電子申請書及附件材料,，并在截止時間后24小時內(nèi)在線提交項目申請清單,，無需報送紙質(zhì)申請書。項目獲批準后,，將申請書的紙質(zhì)簽字蓋章頁裝訂在《資助項目計劃書》最后,，與之一并提交。簽字蓋章的信息應(yīng)與信息系統(tǒng)中的電子申請書保持一致,。
　　　六,、注意事項
　　（一）資助項目信息公布,。
　　自然科學基金委將在官方網(wǎng)站公布資助原創(chuàng)項目基本信息,。
　　（二）項目實施保障,。
　　原創(chuàng)項目負責人應(yīng)將主要精力投入原創(chuàng)項目的研究中,；依托單位應(yīng)加強對原創(chuàng)項目實施的監(jiān)督、管理和服務(wù),，減輕項目負責人不必要的負擔,，為項目研究提供必要的制度和條件保障。
　�,。ㄈ�）其��,。
　　原創(chuàng)項目申請與資助不設(shè)復審環(huán)節(jié)。
　　自然科學基金委將把相關(guān)項目負責人項目執(zhí)行情況和評審專家的評審情況計入信譽檔案,。
　　請有意向申報的教師11月20日之前與科技處聯(lián)系,。
　　聯(lián)系人：杜靜
　　聯(lián)系電話：86323626